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            晶圓制造過(guò)程控溫Chiller用于封裝溫度控制

            簡(jiǎn)要描述:【無(wú)錫冠亞】是一家專注提供高低溫控溫解決方案的設(shè)備廠家,公司主要生產(chǎn)高低溫沖擊氣流儀(熱流儀)、chiller、超低溫制冷機(jī)、高低溫測(cè)試機(jī)機(jī)、高低溫沖擊箱等各種為通訊、光模塊、集成電路芯片、航空航天、天文探測(cè)、電池包氫能源等領(lǐng)域的可靠性測(cè)試提供整套溫度環(huán)境解決方案。晶圓制造過(guò)程控溫Chiller用于封裝溫度控制

            • 產(chǎn)品型號(hào):FLTZ-003
            • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
            • 更新時(shí)間:2025-02-26
            • 訪  問(wèn)  量:612
            詳情介紹
            品牌冠亞恒溫冷卻方式水冷式
            價(jià)格區(qū)間10萬(wàn)-50萬(wàn)產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
            儀器種類一體式應(yīng)用領(lǐng)域化工,電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣

            晶圓制造過(guò)程控溫Chiller用于封裝溫度控制

            晶圓制造過(guò)程控溫Chiller用于封裝溫度控制


              晶圓制造過(guò)程控溫Chillerr在晶圓制造中承擔(dān)關(guān)鍵溫控功能,其應(yīng)用覆蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積等核心工藝環(huán)節(jié)。以下是具體應(yīng)用案例與技術(shù)細(xì)節(jié)分析:

              一、光刻工藝溫度控制

              1.光刻膠恒溫管理:晶圓廠采用Chiller為ArF光刻機(jī)提供冷卻,通過(guò)維持光刻膠溫度在23±0.1℃,使光源的曝光精度提升。

              2.鏡頭熱變形補(bǔ)償:在EUV光刻機(jī)中,晶圓制造過(guò)程控溫Chiller通過(guò)雙循環(huán)系統(tǒng)(-30℃冷水+40℃熱油)同步冷卻光學(xué)模塊,將鏡頭熱膨脹系數(shù)控制,實(shí)現(xiàn)節(jié)點(diǎn)套刻精度提升。

              二、刻蝕工藝動(dòng)態(tài)控溫

              1.等離子體刻蝕溫度優(yōu)化:某存儲(chǔ)芯片廠在3D刻蝕中,使用Chiller將反應(yīng)腔溫度穩(wěn)定在-20℃至80℃可調(diào)范圍,使刻蝕均勻性提升。

              2.濕法刻蝕液溫控:在硅槽刻蝕工藝中,晶圓制造過(guò)程控溫Chiller維持氫氟酸混合液溫度在25±0.3℃,刻蝕速率標(biāo)準(zhǔn)差下降。

              三、薄膜沉積工藝溫控

              1.ALD原子層沉積:芯片制造中,晶圓制造過(guò)程控溫Chiller為ALD設(shè)備提供40℃恒溫環(huán)境,使高介電薄膜厚度偏差更小。

              2.CVD反應(yīng)腔冷卻:在SiN薄膜沉積中,采用雙級(jí)壓縮Chiller,將反應(yīng)腔壁溫控制在80±1℃,薄膜應(yīng)力均勻性提升?!?/span>

              四、清洗與離子注入工藝

              1.超純水冷卻系統(tǒng):在晶圓單片清洗機(jī)中,晶圓制造過(guò)程控溫Chiller維持超純水溫度在22±0.2℃,減少DI水表面張力波動(dòng),使顆粒殘留降至。

              2.離子注入機(jī)靶材冷卻:采用-40℃低溫Chiller冷卻硅靶材,使硼離子注入深度偏差優(yōu)化。

            晶圓制造過(guò)程控溫Chiller的技術(shù)迭代正推動(dòng)晶圓制造向更好的方向發(fā)展,成為半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的突破點(diǎn)之一。



            晶圓制造過(guò)程控溫Chiller用于封裝溫度控制




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